매그나칩, 고속 복구 바디 다이오드를 갖춘 새로운 600V SJ MOSFET 제품군 출시

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2023년 5월 2일, 16:05(동부 표준시)

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서울, 한국, 2023년 5월 2일 /PRNewswire/ -- 매그나칩반도체("매그나칩" 또는 "회사")(NYSE: MX)는 회사가 600V 슈퍼접합 금속산화막 반도체 전계효과의 새로운 제품군을 출시했다고 오늘 발표했습니다. 독자적인 설계 기술을 갖춘 9개의 개별 제품으로 구성된 트랜지스터(SJ MOSFET)입니다.

매그나칩의 독자적인 설계는 약 10%의 비온저항(RSP) 감소를 제공하며, 이는 이전 세대 MOSFET과 동일한 셀 피치를 유지하면서 달성한 결과입니다.

또한 600V SJ MOSFET의 새로운 제품군에는 빠른 복구 바디 다이오드가 장착되어 있습니다. 이 다이오드 기술은 역회복 시간(trr)과 스위칭 손실을 줄여 시스템 효율성을 크게 향상시킵니다. 이에 따라 MOSFET의 전반적인 성능을 평가하는 성능 지수가 이전 세대 대비 10% 이상 향상됐다. 따라서 이러한 600V SJ MOSFET은 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, 무정전 전원 공급 장치 시스템 및 다양한 전자 장치와 같은 산업용 애플리케이션에 널리 사용될 수 있습니다.

이러한 새로운 MOSFET 중에서 MMQ60R044RFTH 제품은 44mΩ의 매우 낮은 RDS(on)를 제공하므로 전기 자동차 충전기 및 서버에 최적의 선택입니다. 글로벌 시장조사업체 옴디아(Omdia)는 2023년부터 2026년까지 하이브리드·전기차와 서버용 Si MOSFET 시장의 연평균 복합성장률이 각각 11%, 7%에 달할 것으로 추정했다.

매그나칩 김용준 대표는 “이제 600V SJ MOSFET 제품을 출시한 만큼, 2023년 하반기에는 빠른 회복 바디 다이오드를 적용한 650V, 700V SJ MOSFET 신제품 출시를 목표로 하고 있다”고 말했다. "이 새로운 MOSFET은 회사의 주목할만한 성과를 나타내며, 우리는 이러한 성공을 바탕으로 급변하는 시장 요구 사항과 고객 기대에 부응하는 차세대 전력 솔루션을 제공할 것입니다."

------------------------------------- ------------------------------------- -----* RDS(on): 온 저항, 온 상태 작동 중 MOSFET의 드레인과 소스 사이의 저항입니다.

제품

VDS [V]

RDS(켜짐)

패키지

MMQ60R044RFTH

600V

44mΩ

TO247

MMQ60R078RFTH

600V

78mΩ

TO247

MMFA60R400RFZTH

600V

400mΩ

TO220FA

MMD60R400RFZRH

600V

400mΩ

DPAK

MMFA60R650RFZTH

600V

650mΩ

TO220FA

MMHS60R650RFZURH

600V

650mΩ

SOT223

MMD60R650RFZRH

600V

650mΩ

DPAK

MMFA60R1K0RFZTH

600V

1.0Ω

TO220FA

MMD60R1K0RFZRH

600V

1.0Ω

DPAK

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출처 매그나칩반도체(주)