Nexperia는 전력 변환용 SiC 쇼트키 다이오드를 제공합니다.

넥스페리아(Nexperia)는 초고성능, 저손실, 고효율이 요구되는 전력 애플리케이션을 위해 설계된 650V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했습니다. PSC1065K로 지정된 10A, 650V SiC 쇼트키 다이오드는 까다로운 고전압 및 고전류 애플리케이션의 과제를 해결하는 산업용 부품입니다. 여기에는 스위치 모드 전원 공급 장치, AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 배터리 충전 인프라, 무정전 전원 공급 장치 및 광전지 인버터가 포함되며 더욱 지속 가능한 운영이 가능합니다. 예를 들어, PSC1065K SiC 쇼트키 다이오드를 사용하여 설계된 전원 공급 장치가 장착된 데이터 센터는 실리콘 기반 솔루션만 사용하는 것보다 엄격한 에너지 효율성 표준을 충족하는 데 더 적합합니다.

PSC1065K는 온도와 무관한 용량성 스위칭 및 제로 복구 동작으로 뛰어난 성능 지수(QC x VF)를 달성하는 최첨단 성능을 제공합니다. 탁월한 스위칭 성능은 전류 및 스위칭 속도 변화와 거의 완전히 독립적입니다. PSC1065K의 병합된 PiN 쇼트키(MPS) 구조는 추가 보호 회로가 필요하지 않은 서지 전류에 대한 뛰어난 견고성과 같은 추가적인 이점을 제공합니다. 이러한 기능은 시스템 복잡성을 크게 줄이고 하드웨어 설계자가 견고한 고전력 애플리케이션에서 더 작은 폼 팩터로 더 높은 효율성을 달성할 수 있도록 해줍니다.

이 SiC 쇼트키 다이오드는 R2P(Real-2-Pin) TO-220-2 스루홀 전력 플라스틱 패키지에 캡슐화되어 있습니다. 추가 패키지 옵션에는 최대 175°C 온도에서 고전압 애플리케이션의 신뢰성을 향상시키는 실제 2핀 구성의 표면 실장(DPAK R2P 및 D2PAK R2P) 및 스루홀(TO-247-2)이 포함됩니다.

Nexperia의 SiC 제품 그룹 수석 이사인 Katrin Feurle는 다음과 같이 덧붙였습니다. “우리는 현재 사용 가능한 제품 중 최고 등급에 속하는 고성능 SiC 쇼트키 다이오드를 제공하고 있습니다. 점점 더 에너지에 민감한 세상에서 대용량, 고효율 애플리케이션에 대한 수요가 크게 증가함에 따라 우리는 시장에 더 많은 선택권과 가용성을 제공하고 있습니다.”

Nexperia는 6~20A 범위의 전류로 650V 및 1200V 전압에서 작동하는 자동차 등급 부품을 포함하여 SiC 다이오드 포트폴리오를 지속적으로 확대할 계획입니다. 새로운 SiC 다이오드의 샘플과 생산 수량은 현재 이용 가능하다.

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